一种垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在功率器件中引入部分埋氧区4，所述部分埋氧区4位于器件主要垂直导电通路的两旁，可做在外延层3上，或同时占据衬底2和外延层3的部分区域，或同时占据外延层3和p/n区5的部分区域，还可同时占据衬底2、外延层3和p/n区5的部分区域；其形状可为矩形、梯形、椭圆形等；并可由二氧化硅或氮化硅等绝缘材料制作。本发明通过部分埋氧结构提供的高耐压、高电子一空穴对复合通道来提高器件耐压及抗辐照能力。与传统的垂直DMOS相比，在相同导通电阻下，耐压提高20％以上，抗瞬态辐照能力提高2倍以上，单粒子失效阈值提高近1倍。采用本发明可以制作各种性能优良的抗辐照、高压、高速垂直DMOS器件。
基本信息
专利标题 ：
一种垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822396A
申请号 ：
CN200610020155.7
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2006-01-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李泽宏张子澈张磊易黎张波李肇基
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
610054四川省成都市建设北路二段四号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200610020155.7
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78
法律状态
2008-09-17 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-10-18 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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