横向双重扩散式金属氧化物半导体晶体管及其制造方法

发明专利申请公布后的视为撤回

摘要

一种横向双重扩散式金属氧化物半导体晶体管,包括衬底、第一阱区、漏极区、第二阱区以及源极区。衬底具有第一导电型杂质，具有第二导电型杂质的第一阱区，位于部分衬底中。漏极区位于第一阱区中。具有第一导电型杂质的第二阱区，位于部分衬底中。源极区位于第二阱区中，源极区包括轻掺杂源极区以及重掺杂源极区，都由衬底的上表面向下延伸，轻掺杂源极区的深度大于重掺杂源极区。

基本信息

专利标题：

横向双重扩散式金属氧化物半导体晶体管及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN103972294A

申请号：

CN201410224706.6

公开（公告）日：

2014-08-06

申请日：

2005-11-29

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

林正基苏醒朱建文连士进叶清本

申请人：

旺宏电子股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

焦玉恒

优先权：

CN201410224706.6

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/06 H01L29/08 H01L21/336

法律状态

2017-10-03 ：

发明专利申请公布后的视为撤回

号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101760280084
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利申请号 : 2014102247066
申请公布日 : 20140806

2014-09-03 ：

实质审查的生效

号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101586677542
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利申请号 : 2014102247066
申请日 : 20051129

2014-08-06 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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