一种新型碳化硅纵向扩散金属氧化物半导体晶体管
授权
摘要
本新型涉及一种新型碳化硅纵向扩散MOSFET，包括具有第二导电类型的碳化硅衬底；具有第二导电类型的漂移区，设置于衬底上，其中漂移区具有掺杂浓度于纵向方向上呈梯度分布；一个或一个以上的接触设置于漂移区的表面，每一个接触是利用离子注入的方式形成且包含第一导电类型阱区以及第二导电类型源极，接触之间的距离可以定义出MOSFET的沟道大小；栅极氧化层形成于漂移区与衬底相反方向的表面上并沿横向延伸跨越源极之间并覆盖部分个别源极；所述个别源极接触形成于漂移区与碳化硅衬底相反方向的表面上并覆盖每个所述接触中的个别第二导电类型源极与第一导电类型阱区；及一个漏极接触形成于衬底与第二导电类型漂移区相反方向的表面上。
基本信息
专利标题 ：
一种新型碳化硅纵向扩散金属氧化物半导体晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020923588.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-27
授权号 ：
CN212182335U
授权日 ：
2020-12-18
发明人 ：
戴茂州高巍廖运健顾航
申请人 ：
成都蓉矽半导体有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市高新区天府大道中段1366号2栋9楼12-18号
代理机构 ：
北京华夏正合知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
韩登营
优先权 ：
CN202020923588.9
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78
法律状态
2020-12-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
