金属—氧化物—半导体后部工艺
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明可以减少导电层在光刻、合金及钝化过程中形成的缺陷，在光刻以及温度高于200℃的工艺之前，利用低温旋涂的方法在导电层上形成一个有色的玻璃层，通过在导电层上形成一个复合层的方法完成气密钝化，此复合层由两部分组成：下层为张力层，上层为压缩层，整个钝化层呈现净张力特性。
基本信息
专利标题 ：
金属—氧化物—半导体后部工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85104650A
申请号 ：
CN85104650.9
公开（公告）日 ：
1986-06-10
申请日 ：
1985-06-15
授权号 ：
CN1003965B
授权日 ：
1989-04-19
发明人 ：
利奥波杜罗伯特肯尼思吉克戴维
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加里福尼亚州
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN85104650.9
主分类号 ：
H01L21/31
IPC分类号 ：
H01L21/31 H01L21/322
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
法律状态
1993-04-28 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1989-12-13 ：
授权
1989-04-19 ：
审定
1988-03-16 ：
实质审查请求
1986-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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