金属氧化物半导体电路结构
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及一种金属氧化物半导体电路结构，该金属氧化物半导体电路结构包含一硅基底、一半导体组件、一场氧化层以及一多重保护层。该硅基底掺杂一种导体载子，其中该半导体组件与该硅基底电性连接。该场氧化层形成于该硅基底上与半导体组件端点相邻位置，是用以在该场氧化层与该半导体组件间形成一工作区。该多重保护层覆盖于工作区上以半导体组件端点与场氧化层连接，其中该多重保护层提供一介于该半导体组件与该硅基底间的截面崩溃路径，该截面崩溃路径是用以增加该半导体组件的截面崩溃电压。
基本信息
专利标题 ：
金属氧化物半导体电路结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1783510A
申请号 ：
CN200510115418.8
公开（公告）日 ：
2006-06-07
申请日 ：
2005-11-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
方振宇陈维忠李深地余建朋王一诚
申请人 ：
台湾类比科技股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹市
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
任默闻
优先权 ：
CN200510115418.8
主分类号 ：
H01L29/49
IPC分类号 ：
H01L29/49 H01L23/60
相关图片
法律状态
2008-06-25 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-08-02 ：
实质审查的生效
2006-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1783510A.PDF
PDF下载
