互补金属氧化物半导体集成电路

专利权的终止未缴年费专利权终止

摘要

大型集成电路中的重要问题是叠加到电源上的因触发器等开关元件的开关过程和输出级过负荷引起的噪音。这些元件造成电流峰值而使电压波动较大。在带标准元件或带定制的电路块的CMOS电路中，通过在走线通道中呈额外的阱的形式的附加去耦电容较有效地解决上述问题。紧靠开关元件设置去耦电容对抑制电源噪音有利。因为走线通道并不供电路元件使用，所以芯片的表面积不致因该额外电容而增加。

基本信息

专利标题：

互补金属氧化物半导体集成电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1076549A

申请号：

CN93101887.0

公开（公告）日：

1993-09-22

申请日：

1993-02-24

授权号：

CN1033116C

授权日：

1996-10-23

发明人：

E·雅各斯

申请人：

菲利浦光灯制造公司

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

程天正

优先权：

CN93101887.0

主分类号：

H01L27/092

IPC分类号：

H01L27/092

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L27/00

由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件

H01L27/02

包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的

H01L27/04

其衬底为半导体的

H01L27/08

只包括有一种半导体组件的

H01L27/085

只包含场效应的组件

H01L27/088

有绝缘栅场效应晶体管的组件

H01L27/092

互补MIS场效应晶体管

法律状态

2001-04-18 ：

专利权的终止未缴年费专利权终止

1998-12-16 ：

著录项目变更

变更事项 : 专利权人
变更前 : 菲利浦电子有限公司
变更后 : 皇家菲利浦电子有限公司

1997-12-24 ：

著录项目变更

变更事项 : 专利权人
变更前 : 菲利浦光灯制造公司
变更后 : 菲利浦电子有限公司

1996-10-23 ：

授权

1995-05-31 ：

实质审查请求的生效

1993-09-22 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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