互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法
专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)
摘要
提供了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)装置及其制造方法。该CMOS图像传感器包括：沟槽的第一传导型基片；沟道停止层，通过在沟槽内表面之上使用第一传导型外延层而形成；装置隔离层，形成于沟道停止层上以填充沟槽；第二传导型光电二极管，形成于沟道停止层一侧中基片的部分中；以及转移栅结构，形成于基片上，邻近光电二极管，以转移从光电二极管所产生的光电子。
基本信息
专利标题 ：
互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1933167A
申请号 ：
CN200510097439.1
公开（公告）日 ：
2007-03-21
申请日 ：
2005-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金相荣
申请人 ：
美格纳半导体有限会社
申请人地址 ：
韩国忠清北道
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐谦
优先权 ：
CN200510097439.1
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 H01L21/8232
法律状态
2009-09-16 ：
专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 美格纳半导体有限会社
变更后权利人 : 科洛司科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 韩国忠清北道
变更后 : 美国特拉华州
登记生效日 : 20090807
变更前权利人 : 美格纳半导体有限会社
变更后权利人 : 科洛司科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 韩国忠清北道
变更后 : 美国特拉华州
登记生效日 : 20090807
2009-05-06 ：
授权
2007-05-16 ：
实质审查的生效
2007-03-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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