互补金属氧化物半导体图像传感器及其操作方法
授权
摘要
提供了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器及其操作方法。所述CMOS图像传感器包括具有像素矩阵的像素阵列单元，其中每个像素包括电荷转移元件，用于将在光电转换元件中收集的电荷转移到电荷检测元件；和行驱动单元，用于在所述光电转换元件的电荷累积周期的部分期间将电压提供给电荷转移元件，其中所提供的电压使得所述电荷转移元件具有负电势。
基本信息
专利标题 ：
互补金属氧化物半导体图像传感器及其操作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1791185A
申请号 ：
CN200510120231.7
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-11-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
南丁铉
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
吕晓章
优先权 ：
CN200510120231.7
主分类号 ：
H04N5/335
IPC分类号 ：
H04N5/335 H04N3/15
法律状态
2011-09-14 ：
授权
2007-12-26 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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