互补金属氧化物半导体图像传感器和相关的操作方法
授权
摘要
提供了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。该CMOS图像传感器包括具有矩阵型单位像素阵列的像素阵列单元，每个单位像素包括将在光电转换元件中收集的电荷传送给电荷检测元件的电荷传送元件。电荷传送元件还接收比外部电源电压高的升压信号。
基本信息
专利标题 ：
互补金属氧化物半导体图像传感器和相关的操作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1798272A
申请号 ：
CN200510003493.5
公开（公告）日 ：
2006-07-05
申请日 ：
2005-11-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
卢宰燮南丁铉
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
黄小临
优先权 ：
CN200510003493.5
主分类号 ：
H04N5/335
IPC分类号 ：
H04N5/335 H04N3/15
法律状态
2013-03-27 ：
授权
2008-01-02 ：
实质审查的生效
2006-07-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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