互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法
专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)
摘要
一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器及其制造方法被公开。所述CMOS图像传感器包括：像素区，提供有多个单元像素，每个包括埋入式光电二极管以及浮动扩散区；以及逻辑区，提供有用于处理从单元像素输出的数据的CMOS装置，其中自对准硅化物层形成在逻辑区中的CMOS装置的栅电极和源/漏区上，而自对准硅化物阻挡层形成在像素区之上。
基本信息
专利标题 ：
互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828916A
申请号 ：
CN200510137607.5
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2005-12-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李柱日
申请人 ：
美格纳半导体有限会社
申请人地址 ：
韩国忠清北道
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐谦
优先权 ：
CN200510137607.5
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 H01L21/822
法律状态
2009-08-26 ：
专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 美格纳半导体有限会社
变更后权利人 : 科洛司科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 韩国忠清北道
变更后 : 美国特拉华州
登记生效日 : 20090717
变更前权利人 : 美格纳半导体有限会社
变更后权利人 : 科洛司科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 韩国忠清北道
变更后 : 美国特拉华州
登记生效日 : 20090717
2008-11-26 ：
授权
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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