互补金属氧化物半导体图像传感器
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种具有埋入沟道金属氧化物半导体(MOS)晶体管的CMOS图像传感器。该CMOS图像传感器具有光转换装置和源输出晶体管。光转换装置响应于入射光的能量产生电流信号和改变浮置节点的电压。源输出晶体管具有掺杂有第一导电类型材料的源极区域、掺杂有第一导电类型材料的漏极区域、掺杂有与第一导电类型材料互补的第二导电类型材料的栅极区域以及具有第一导电类型材料的埋入沟道。所述埋入沟道形成在所述源极区和漏极区之间且在所述栅极区之下。此外，所述源输出晶体管放大所述浮置节点的电压以产生第一信号。
基本信息
专利标题 ：
互补金属氧化物半导体图像传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1881600A
申请号 ：
CN200510126893.5
公开（公告）日 ：
2006-12-20
申请日 ：
2005-11-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
安正卓浅羽哲朗金利泰金廷妍黄圣仁
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510126893.5
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 H04N5/335
法律状态
2008-07-30 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-12-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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