叠层互补金属氧化物半导体图像传感器及图像处理方法
授权
摘要
本申请实施例提供了一种叠层互补金属氧化物半导体图像传感器及图像处理方法、存储介质，该叠层互补金属氧化物半导体图像传感器包括：叠层像素单元，叠层像素单元包括多层光电二极管PD柱，多层PD柱包括三种尺寸的PD柱，多层PD柱中的每一层PD柱的尺寸相同，叠层像素单元用于利用多层PD柱依次吸收RGB三色光，并将RGB三色光对应的光信号转换成电信号；与叠层像素单元的输出端连接的CMOS像素读出电路，其中，每一层PD柱与一个CMOS像素读出电路连接，CMOS像素读出电路用于放大电信号，并读出电信号。
基本信息
专利标题 ：
叠层互补金属氧化物半导体图像传感器及图像处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110572594A
申请号 ：
CN201910859504.1
公开（公告）日 ：
2019-12-13
申请日 ：
2019-09-11
授权号 ：
CN110572594B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
杨鑫
申请人 ：
OPPO广东移动通信有限公司
申请人地址 ：
广东省东莞市长安镇乌沙海滨路18号
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
王军红
优先权 ：
CN201910859504.1
主分类号 ：
H04N5/369
IPC分类号 ：
H04N5/369 H04N5/374 H04N5/378
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2020-01-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H04N 5/369
申请日 : 20190911
申请日 : 20190911
2019-12-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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