互补金属氧化物半导体存储器驱动器电路
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明提供一种用来驱动电容性装置的CMOS集成电路。这种集成电路有一个输入节点和一个输出节点，包括一个与输入节点相连、由输入节点控制“导通”和“截止”、在“导通”时向输出节点提供一个输出信号的第一晶体管和一个输出端接到输出节点、在“导通”时向输出节点提供一个输出信号的第二晶体管。该集成电路还包括一个控制电路，用来在第二晶体管导通前导通第一晶体管，并且当仅当第一晶体管输出信号的转换速率低于一给定值时导通第二晶体管。
基本信息
专利标题 ：
互补金属氧化物半导体存储器驱动器电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1050942A
申请号 ：
CN90107575.2
公开（公告）日 ：
1991-04-24
申请日 ：
1990-09-10
授权号 ：
CN1018489B
授权日 ：
1992-09-30
发明人 ：
查理斯·爱德华·德拉克霍华德·莱奥·凯尔特斯科特·克莱伦斯·路易斯
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
邹光新
优先权 ：
CN90107575.2
主分类号 ：
G11C11/407
IPC分类号 ：
G11C11/407
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/401
形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的
G11C11/4063
辅助电路，例如，用于寻址、译码、驱动、写、读出或定时的
G11C11/407
用于场效应型存储单元的
法律状态
1999-11-03 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1994-10-26 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-06-30 ：
授权
1992-09-30 ：
审定
1991-04-24 ：
公开
1991-01-30 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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