单晶硅堆叠形成及接合到互补金属氧化物半导体晶片
实质审查的生效
摘要
提供用于单晶硅堆叠形成及接合到互补金属氧化物半导体CMOS晶片以用于形成竖直三维3D存储器的系统、方法和设备。一种用于形成用于存储器单元的形成的竖直堆叠层的阵列的实例方法包含：提供硅衬底；将单晶硅锗层形成到所述衬底的表面上；外延地生长所述硅锗以形成较厚的硅锗层；将单晶硅层形成到所述硅锗的表面上；外延地生长所述硅锗以形成较厚的硅层；以及在重复叠加中，形成硅锗层和硅层以形成交替的硅层和硅锗层的竖直堆叠。
基本信息
专利标题 ：
单晶硅堆叠形成及接合到互补金属氧化物半导体晶片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446773A
申请号 ：
CN202111284481.X
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-11-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李时雨金炳鈗
申请人 ：
美光科技公司
申请人地址 ：
美国爱达荷州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王龙
优先权 ：
CN202111284481.X
主分类号 ：
H01L21/20
IPC分类号 ：
H01L21/20 H01L21/60 H01L25/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/20
申请日 : 20211101
申请日 : 20211101
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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