互补金属氧化物半导体及其形成方法
专利权的终止
摘要
一种CMOS结构，其中栅极到漏极/源极电容被减小，同时也提供了制造这种结构的不同方法。根据本发明，发现，通过形成其中低k介质材料与栅极导体自对准的CMOS结构可以明显减小栅极到漏极/源极的电容。通过本发明的结构可以看到范围为从30％到大于40％的栅极导体和接触过孔之间的电容的减小。而且，总外部边缘电容(栅极到外部扩散区+栅极到接触过孔)减小了10－18％。本发明的CMOS结构包括至少一个栅极区，所述栅极区包括位于半导体衬底表面上的栅极导体；以及与栅极导体自对准的低k介质材料。
基本信息
专利标题 ：
互补金属氧化物半导体及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1812101A
申请号 ：
CN200510117557.4
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2005-11-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
O·格卢斯陈克夫M·P·别良斯基J·A·曼德尔曼B·B·多里斯
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
于静
优先权 ：
CN200510117557.4
主分类号 ：
H01L27/092
IPC分类号 ：
H01L27/092 H01L29/78 H01L21/8238 H01L21/336 H01L21/28
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
H01L27/092
互补MIS场效应晶体管
法律状态
2019-10-25 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 27/092
申请日 : 20051104
授权公告日 : 20091111
终止日期 : 20181104
申请日 : 20051104
授权公告日 : 20091111
终止日期 : 20181104
2017-11-17 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 27/092
登记生效日 : 20171031
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更后权利人 : 格芯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛大开曼岛
登记生效日 : 20171031
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更后权利人 : 格芯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛大开曼岛
2017-11-17 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 27/092
登记生效日 : 20171031
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国纽约
登记生效日 : 20171031
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国纽约
2009-11-11 ：
授权
2006-09-27 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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