互补式金属氧化物半导体元件及其形成方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种互补式金属氧化物半导体元件，互补式金属氧化物半导体元件包括衬底、第一型金属氧化物半导体晶体管、第二型金属氧化物半导体晶体管、蚀刻终止层、第一应力层及第二应力层。其中，衬底具有第一有源区与第二有源区，且第一有源区与第二有源区之间以一隔离结构区隔。第一型金属氧化物半导体晶体管配置于衬底的第一有源区，而第二型金属氧化物半导体晶体管配置于衬底的第二有源区。蚀刻终止层顺应性地覆盖住第一型金属氧化物半导体晶体管、第二型金属氧化物半导体晶体管与隔离结构。另外，第一应力层配置于第一有源区的蚀刻终止层上，而第二应力层配置于第二有源区的蚀刻终止层上。
基本信息
专利标题 ：
互补式金属氧化物半导体元件及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1979807A
申请号 ：
CN200510126978.3
公开（公告）日 ：
2007-06-13
申请日 ：
2005-11-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周珮玉杨闵杰洪文瀚
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510126978.3
主分类号 ：
H01L21/8238
IPC分类号 ：
H01L21/8238 H01L27/092
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8238
互补场效应晶体管，例如CMOS
法律状态
2009-11-18 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-08-08 ：
实质审查的生效
2007-06-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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