半导体元件及其形成方法
授权
摘要
本发明提供半导体元件及其形成方法。一种半导体元件，包括一基底、一金属间介电层覆盖于该基底上、以及一含氮四乙氧基硅烷氧化层或一富含氧四乙氧基硅烷氧化层覆盖于该金属间介电层上。在该富含氧四乙氧基硅烷氧化层中氧的分子比率大于70百分比。该金属间介电层包括一超低介电常数层。一种形成半导体元件的方法，包括：提供一基底；沉积一金属间介电层于该基底上；以及沉积一含氮或富含氧四乙氧基硅烷氧化层于该金属间介电层上。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN104821275A
申请号 ：
CN201510092494.5
公开（公告）日 ：
2015-08-05
申请日 ：
2006-02-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴仓聚章勋明
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN201510092494.5
主分类号 ：
H01L21/314
IPC分类号 ：
H01L21/314 H01L21/316 H01L21/02 H01L21/768
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314
无机层
法律状态
2018-11-13 ：
授权
2015-09-02 ：
实质审查的生效
号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101623406671
IPC(主分类) : H01L 21/314
专利申请号 : 2015100924945
申请日 : 20060222
号牌文件序号 : 101623406671
IPC(主分类) : H01L 21/314
专利申请号 : 2015100924945
申请日 : 20060222
2015-08-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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