半导体元件的处理方法以及半导体元件的形成方法
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摘要
本发明涉及一种半导体元件的处理方法以及半导体元件的形成方法，主要是在保护层形成于导电部分之前，先以溶液处理该导电部分的顶部表面，其中该溶液包括：清洁剂以及化学接枝前驱物。溶液中可包括整平湿润剂，用来改善该化学接枝前驱物覆盖的均匀度。上述的处理方法能使保护层均匀地覆盖在导体部分上。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件的处理方法以及半导体元件的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1832117A
申请号 ：
CN200610004718.3
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2006-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
石健学苏鸿文蔡明兴
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
隆天国际知识产权代理有限公司
代理人 ：
王玉双
优先权 ：
CN200610004718.3
主分类号 ：
H01L21/321
IPC分类号 ：
H01L21/321 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3205
非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理
H01L21/321
后处理
法律状态
2009-07-22 ：
授权
2006-11-08 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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