接触窗的形成方法以及半导体元件

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摘要

一种接触窗的形成方法，此方法为提供已形成有至少二金属氧化物半导体晶体管的衬底，且相邻金属氧化物半导体晶体管之间具有一间隙。然后，于衬底上方形成第一应力层，覆盖金属氧化物半导体晶体管与衬底。其中，第一应力层的形成步骤为，先于衬底上方形成应力材料层，以覆盖金属氧化物半导体晶体管，且填入间隙中，而形成于间隙内的应力材料层中具有隙缝。接着，进行回蚀刻工艺，移除间隙内的部分应力材料层。之后，于第一应力层上依序形成第二应力层与介电层。随后，移除间隙内的部分介电层、部分第一应力层与部分第二应力层，以形成接触窗开口。接着，于接触窗开口中填入导体层。

基本信息

专利标题：

接触窗的形成方法以及半导体元件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1979801A

申请号：

CN200510129472.8

公开（公告）日：

2007-06-13

申请日：

2005-12-09

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

陈能国蔡腾群黄建中

申请人：

联华电子股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

优先权：

CN200510129472.8

主分类号：

H01L21/768

IPC分类号：

H01L21/768 H01L21/8234 H01L27/088 H01L23/52