半导体元件及其形成方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供一种半导体元件及其形成方法。一种互补型金属氧化物半导体晶体管的补偿间隙壁及其制造方法。在基板上形成栅极电极，及在该栅极电极和基板上形成一补偿掩膜。该补偿掩膜可为一氧化层且在注入时作为一掩膜，如口袋注入和轻掺杂漏极注入。之后，在补偿掩膜上靠近栅极电极处形成一第二注入间隙壁，并以另一注入程序可形成深掺杂漏极区。本发明所述的半导体元件及其形成方法，可减少沉积和清洗的时间及成本，此外，补偿掩膜的使用将更容易控制。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1913111A
申请号 ：
CN200610007819.6
公开（公告）日 ：
2007-02-14
申请日 ：
2006-02-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄健朝
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200610007819.6
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/266 H01L29/78
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2009-09-09 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-04-11 ：
实质审查的生效
2007-02-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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