金属氧化物半导体晶体管元件
专利权的终止
摘要
本实用新型有关一种金属氧化物半导体(MOS)晶体管元件，其中，一半导体基底包括一有源区与一隔离区，有源区与栅极结构之间具有一选择性外延层，并且外延层的一周边部分是覆盖在隔离区的一周边部分的上方。如此，可增加沟道宽度，而增进漏极电流。
基本信息
专利标题 ：
金属氧化物半导体晶体管元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620121379.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-07-31
授权号 ：
CN201004461Y
授权日 ：
2008-01-09
发明人 ：
施泓林江日舜孟宪樑
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200620121379.2
主分类号 ：
H01L27/04
IPC分类号 ：
H01L27/04 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
法律状态
2016-08-24 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101676316618
IPC(主分类) : H01L 27/04
专利号 : ZL2006201213792
申请日 : 20060731
授权公告日 : 20080109
终止日期 : 无
号牌文件序号 : 101676316618
IPC(主分类) : H01L 27/04
专利号 : ZL2006201213792
申请日 : 20060731
授权公告日 : 20080109
终止日期 : 无
2008-01-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
