金属氧化物半导体晶体管的制造方法

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摘要

一种金属氧化物半导体晶体管的制造方法，此方法是先提供一衬底，衬底上已形成有元件隔离结构。接着，于衬底上形成栅极堆叠结构，之后于衬底上形成蚀刻终止层，覆盖栅极堆叠结构、衬底与元件隔离结构。然后，于栅极堆叠结构的侧壁形成一间隙壁，其中间隙壁与蚀刻终止层具有不同的蚀刻选择性。继而，以栅极堆叠结构及间隙壁为掩模，而于间隙壁侧边的衬底中分别形成源极区与漏极区。接下来，移除间隙壁，并且以栅极堆叠结构为掩模，于栅极堆叠结构侧边的衬底中分别形成一轻掺杂源极区与一轻掺杂漏极区。

基本信息

专利标题：

金属氧化物半导体晶体管的制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1937185A

申请号：

CN200510103766.3

公开（公告）日：

2007-03-28

申请日：

2005-09-23

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

林朝胜

申请人：

联华电子股份有限公司

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

优先权：

CN200510103766.3

主分类号：

H01L21/336

IPC分类号：

H01L21/336