半导体集成电路、半导体器件、晶体管及其制造方法
专利申请的视为撤回
摘要
一种薄膜晶体管及其制造方法，包括：以掺杂用掩模和栅电极为掩模，以自对准方法，把杂质掺入其表面有绝缘涂层的半导体区，在用掺杂用掩模腐蚀表面绝缘层后，以强光照射所得表面。把碳氮氧组中的至少一种元素注入岛状半导体区的边缘，其浓度高于半导体区的平均浓度，以增大电阻并减少源漏间的漏电流。其中，控制薄膜半导体区的边缘部分使其成为本征的，或与沟道形成区导电类型相同，防止这部分中栅绝缘膜击穿。
基本信息
专利标题 ：
半导体集成电路、半导体器件、晶体管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1098818A
申请号 ：
CN94104092.5
公开（公告）日 ：
1995-02-15
申请日 ：
1994-03-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张宏勇竹村保彦大沼英人须泽英臣鱼地秀贵
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
马铁良
优先权 ：
CN94104092.5
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/784 H01L27/02 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
1998-05-20 ：
专利申请的视为撤回
1996-07-03 ：
实质审查请求的生效
1995-02-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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