制造半导体集成电路器件的方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
在一个共用的工序中形成了P和N沟道MOS场效应晶体管的P和N型源或漏区的一些接触孔以后，通过这些接触孔至少在N型源或漏区以离子注入法注入一种N型杂质。把此N型杂质退火以形成一个比N型源或漏区为深的N型区。在退火处理期间，以一层绝缘薄膜覆盖住此N型源或漏区。
基本信息
专利标题 ：
制造半导体集成电路器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85109742A
申请号 ：
CN85109742.1
公开（公告）日 ：
1986-07-09
申请日 ：
1985-11-22
授权号 ：
CN85109742B
授权日 ：
1988-06-29
发明人 ：
池田修二长泽幸一元吉真永井清目黑怜
申请人 ：
株式会社日立制作所
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
郁玉成
优先权 ：
CN85109742.1
主分类号 ：
H01L21/72
IPC分类号 ：
H01L21/72 H01L27/04
法律状态
2000-01-12 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1989-03-15 ：
授权
1988-06-29 ：
审定
1986-07-09 ：
实质审查请求
1986-07-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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