半导体集成电路器件及其制造方法
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
在具有全耗尽SOI器件结构的电源管理半导体器件中以及在模拟半导体器件中，提供一种面积减小的ESD保护电路，其ESD保护器件保护内部元件不受ESD影响，同时保证足够的ESD强度。形成在SOI半导体薄膜层上的NMOS保护晶体管，在形成于半导体薄膜层上的、具有全耗尽SOICMOS的内部元件的输出端特别是在NMOS的输出端，被用作ESD保护器件，而形成在半导体支撑衬底上的NMOS保护晶体管被用于内部元件的输入保护。
基本信息
专利标题 ：
半导体集成电路器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819203A
申请号 ：
CN200610067340.1
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2006-02-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
长谷川尚吉田宜史
申请人 ：
精工电子有限公司
申请人地址 ：
日本千叶县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
梁永
优先权 ：
CN200610067340.1
主分类号 ：
H01L27/092
IPC分类号 ：
H01L27/092 H01L21/8238
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
H01L27/092
互补MIS场效应晶体管
法律状态
2018-04-27 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 27/092
变更事项 : 专利权人
变更前 : 精工半导体有限公司
变更后 : 艾普凌科有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 日本千叶县
变更后 : 日本千叶县
变更事项 : 专利权人
变更前 : 精工半导体有限公司
变更后 : 艾普凌科有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 日本千叶县
变更后 : 日本千叶县
2016-04-06 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101730553811
IPC(主分类) : H01L 27/092
专利号 : ZL2006100673401
登记生效日 : 20160317
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 精工电子有限公司
变更后权利人 : 精工半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本千叶县
变更后权利人 : 日本千叶县
号牌文件序号 : 101730553811
IPC(主分类) : H01L 27/092
专利号 : ZL2006100673401
登记生效日 : 20160317
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 精工电子有限公司
变更后权利人 : 精工半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本千叶县
变更后权利人 : 日本千叶县
2010-08-04 ：
授权
2008-04-02 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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