半导体集成电路器件及其制造方法
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
一半导体集成电路器件，在其内部电路的MOSFET的源和漏区是轻掺杂的漏结构，这是为了压制热载流子的出现，而在输入/输出电路中的MOSFET的源和漏区是具有高杂质浓度的掺磷结构，这是为了提高静电击穿电压的。
基本信息
专利标题 ：
半导体集成电路器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86100841A
申请号 ：
CN86100841.3
公开（公告）日 ：
1986-07-30
申请日 ：
1986-01-31
授权号 ：
CN1007681B
授权日 ：
1990-04-18
发明人 ：
甲藤久郎奥山幸祜
申请人 ：
株式会社日立制作所
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
赵越
优先权 ：
CN86100841.3
主分类号 ：
H01L27/04
IPC分类号 ：
H01L27/04 H01L21/72
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
法律状态
2001-09-26 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1991-01-02 ：
授权
1990-04-18 ：
审定
1986-07-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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