半导体集成电路制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种半导体集成电路制造方法，包括以下步骤：制作形成金属层和设置于金属层上方的覆盖层，金属层用于形成焊盘；设置光刻胶，光刻胶用于定义刻蚀区，刻蚀区与焊盘相对应；刻蚀与刻蚀区对应的覆盖层的目标部分以避免暴露金属层，目标部分为覆盖层的沿厚度方向上的局部；去除光刻胶；进行湿法清洗；刻蚀覆盖层以暴露金属层。本发明通过分步刻蚀覆盖层，可以减少焊盘表面含氟污染源，从而改善集成电路芯片焊盘表面焊盘晶体缺陷问题。
基本信息
专利标题 ：
半导体集成电路制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267596A
申请号 ：
CN202111472306.3
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-12-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王柯袁明钱江勇程刘锁张继亮
申请人 ：
华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘昌荣
优先权 ：
CN202111472306.3
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/48
申请日 : 20211206
申请日 : 20211206
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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