制造半导体集成电路的隔离方法
被视为撤回的申请
摘要
一种制造半导体集成电路的隔离方法，特别是应用反向扩散制造超高频电路的隔离方法。其特征是杂质在衬底和外延层之间，由下至上进行反向扩散，形成P-N结隔离。该方法较常规P-N结隔离方法简单，隔离效果好，成本低。能使电路管芯面积成倍缩小，从而提高集成度和频率。利用本发明可以很容易地制造出超高频双极型线性电路。
基本信息
专利标题 ：
制造半导体集成电路的隔离方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85100998A
申请号 ：
CN85100998
公开（公告）日 ：
1986-07-30
申请日 ：
1985-04-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张桂霞
申请人 ：
北京电子一厂
申请人地址 ：
北京东郊陈各庄
代理机构 ：
北京电子管厂科技部新品开发室代理组
代理人 ：
王蕴
优先权 ：
CN85100998
主分类号 ：
H01L21/76
IPC分类号 ：
H01L21/76 H01L21/82
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
法律状态
1987-02-04 ：
被视为撤回的申请
1986-07-30 ：
公开
1985-09-10 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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