半导体集成电路及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种具备集成电路区域(1a)、以及分别具有使该集成电路区域(1a)与外部电连接用的元件形成区域的多个I/O单元(6)的半导体集成电路(1)，在上述各I/O单元(6)的元件形成区域上配置输入输出信号用电极焊盘(3)、电源用电极焊盘(4)以及GND用电极焊盘(5)。
基本信息
专利标题 ：
半导体集成电路及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1815723A
申请号 ：
CN200610005403.0
公开（公告）日 ：
2006-08-09
申请日 ：
2006-01-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
野野山茂上田直人
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
沈昭坤
优先权 ：
CN200610005403.0
主分类号 ：
H01L23/48
IPC分类号 ：
H01L23/48 H01L21/82
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
法律状态
2016-03-16 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101650104066
IPC(主分类) : H01L 23/48
专利号 : ZL2006100054030
申请日 : 20060117
授权公告日 : 20080924
终止日期 : 20150117
号牌文件序号 : 101650104066
IPC(主分类) : H01L 23/48
专利号 : ZL2006100054030
申请日 : 20060117
授权公告日 : 20080924
终止日期 : 20150117
2008-09-24 ：
授权
2006-10-04 ：
实质审查的生效
2006-08-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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