集成电路制造方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种在硅片上有多层制有图形的薄膜材料层的集成电路制造方法。在每次蚀刻之后，用含至少0.01ppm最好0.02到0.09ppm臭氧的净水溶液漂洗，基片是处于所产生的各层之间。
基本信息
专利标题 ：
集成电路制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87106114A
申请号 ：
CN87106114.7
公开（公告）日 ：
1988-05-04
申请日 ：
1987-09-01
授权号 ：
CN1006506B
授权日 ：
1990-01-17
发明人 ：
彼得·L·特里蒙特亚瑟·J·阿克曼
申请人 ：
箭头工业用水公司;孟山都公司
申请人地址 ：
美国伊里诺斯州
代理机构 ：
上海专利事务所
代理人 ：
颜承根
优先权 ：
CN87106114.7
主分类号 ：
H01L21/72
IPC分类号 ：
H01L21/72 B01D61/00
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法律状态
1999-10-20 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1990-08-22 ：
授权
1990-01-17 ：
审定
1989-04-05 ：
实质审查请求
1988-05-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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