集成电路的制造方法
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摘要
本发明提供一种集成电路(IC)的制造方法，可在口袋掺杂与延伸掺杂完成后，于栅极侧壁形成超低温间隙壁；也可在超晕圈形成后，进行高斜角的延伸掺杂；或可在延伸掺杂后，进行固相外延，再进行低温制程，或者也可在进行口袋掺杂后，先进行热回火，然后再进行上述的延伸掺杂步骤；或者可先进行高能量低剂量的倾斜源极/漏极掺杂，再进行高剂量的源极/漏极掺杂。
基本信息
专利标题 ：
集成电路的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1801468A
申请号 ：
CN200510125166.7
公开（公告）日 ：
2006-07-12
申请日 ：
2005-11-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王志豪王大维胡正明
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
隆天国际知识产权代理有限公司
代理人 ：
王玉双
优先权 ：
CN200510125166.7
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/82
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2009-06-03 ：
授权
2006-09-06 ：
实质审查的生效
2006-07-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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