集成电路以及其制造方法
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摘要
本发明是有关于一种熔丝结构以及其制造方法，在本发明的一个实施例之中，此一方法包括在半导体基材之上提供多层内连线结构。此一多层内连线结构包括复数个熔丝连结特征以及复数个焊线连结特征。一个钝化层形成于多层内连线结构之上，且图案化此一钝化层借以形成复数个开口，每一个开口是对这些熔丝连接特征，或复数个焊线连接特征其中的一者。一个导电层形成在钝化层上，以及这些开口之内。导电层是借由图案化形成复数个焊线特征以及复数个熔丝结构。每一个焊线特征与该些个个焊线连接特征其中之一形成电性接触，且每一个熔丝结构与该些个熔丝连结特征其中的二者形成电性接触。一个覆盖介电层形成于这些熔丝结构之上，且借由图案化将至少一个焊线特征暴露出来，同时留下被覆盖的这些熔丝结构。
基本信息
专利标题 ：
集成电路以及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1832129A
申请号 ：
CN200610006877.7
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2006-01-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑光茗郑钧隆刘重希庄学理
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200610006877.7
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/525
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2008-01-09 ：
授权
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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