集成电路及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本公开涉及集成电路及其制造方法。一种集成电路包括第一晶体管、第二晶体管、第一电源线和第二电源线。第一晶体管具有第一有源区域和第一栅极结构，其中，第一有源区域在第一栅极结构的相对侧上具有源极区域和漏极区域。第二晶体管位于第一晶体管之下，并且具有第二有源区域和第二栅极结构，其中，第二有源区域在第二栅极结构的相对侧上具有源极区域和漏极区域。第一电源线位于第一晶体管之上，其中，第一电源线电连接到第一有源区域的源极区域。第二电源线位于第二晶体管之下，其中，第二电源线电连接到第二有源区域的源极区域。
基本信息
专利标题 ：
集成电路及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284267A
申请号 ：
CN202011271727.5
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2020-11-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王新泳田丽钧陈志良
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（中国）有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
陈蒙
优先权 ：
CN202011271727.5
主分类号 ：
H01L27/092
IPC分类号 ：
H01L27/092 H01L21/8238
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
H01L27/092
互补MIS场效应晶体管
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/092
申请日 : 20201113
申请日 : 20201113
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
