集成电路器件及其制造方法
授权
摘要
本申请涉及一种集成电路器件及其制造方法。一种集成电路(IC)器件包括具有下金属膜的下布线结构。下布线结构穿透设置在衬底之上的第一绝缘膜的至少一部分。IC器件还包括覆盖下金属膜的顶表面的盖层、覆盖该盖层的第二绝缘膜、穿透第二绝缘膜和盖层并电连接到下金属膜的上布线结构、以及设置在下金属膜与第二绝缘膜之间的空气间隙。空气间隙具有由盖层与上布线结构之间的距离限定的宽度。
基本信息
专利标题 ：
集成电路器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108573949A
申请号 ：
CN201810076683.7
公开（公告）日 ：
2018-09-25
申请日 ：
2018-01-26
授权号 ：
CN108573949B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
金永培朴水贤安商燻李义福姜成进徐训硕吴赫祥李禹镇
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
张波
优先权 ：
CN201810076683.7
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L21/768
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2019-02-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/522
申请日 : 20180126
申请日 : 20180126
2018-09-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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