制造集成电路器件的方法及由此形成的器件

授权

摘要

形成集成电路器件的方法包括在半导体衬底上形成具有不同电阻率的构图层。这些方法包括在半导体衬底的第一和第二部分上形成具有第一电阻率的第一导电层。半导体衬底的第一部分可以包括衬底的存储单元阵列部分，以及半导体衬底的第二部分可以包括衬底的外围电路区，外围电路区延伸邻近存储单元阵列部分。构图第一导电层，以在衬底的第一部分上限定上电容器电极，以及在衬底的第二部分上限定电阻性图形。然后在衬底的第三部分和在电阻性图形上形成第二导电层。构图第二导电层，以在衬底的第三部分上限定第一电阻器图形和在电阻性图形上限定构图的电阻器帽盖。

基本信息

专利标题：

制造集成电路器件的方法及由此形成的器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1832139A

申请号：

CN200510116163.7

公开（公告）日：

2006-09-13

申请日：

2005-10-21

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

田光悦

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

林宇清

优先权：

CN200510116163.7

主分类号：

H01L21/822

IPC分类号：

H01L21/822 H01L21/8242 H01L27/00 H01L27/108