集成电路及其形成方法
实质审查的生效
摘要
一种集成电路包括位于衬底上的第一类型有源区域结构、第二类型有源区域结构以及多个栅极导体。该集成电路还包括位于衬底下方的背侧第一导电层中的背侧水平导线、位于背侧第一导电层下方的背侧第二导电层中的背侧垂直导线以及用于电路单元的引脚连接件。引脚连接件直接连接在背侧水平导线和背侧垂直导线之间。背侧水平导线跨越电路单元的垂直边界延伸。本发明的实施例还涉及集成电路的形成方法。
基本信息
专利标题 ：
集成电路及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551472A
申请号 ：
CN202210069452.X
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-01-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赖韦安彭士玮邱德馨曾健庭王中兴
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN202210069452.X
主分类号 ：
H01L27/118
IPC分类号 ：
H01L27/118 H01L21/8238
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/118
申请日 : 20220121
申请日 : 20220121
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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