导电插塞及其形成方法、集成电路
授权
摘要
本发明涉及导电插塞及其形成方法、集成电路，在导电插塞的形成方法中，首先在半导体基底上的第一绝缘层中形成第一接触孔并在其中填充满第一导电层，然后回刻蚀第一导电层使其仅填充部分第一接触孔，接着利用保护层填充满第一接触孔，保护层用于保护下方的第一导电层以避免后续工艺气体对第一导电层的腐蚀，保护层还可以使得第一导电层与上层的导电层或金属层形成良好的电性接触。本发明另外提供了利用上述方法形成的导电插塞以及包括所述导电插塞的集成电路。
基本信息
专利标题 ：
导电插塞及其形成方法、集成电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110571189A
申请号 ：
CN201810578027.7
公开（公告）日 ：
2019-12-13
申请日 ：
2018-06-05
授权号 ：
CN110571189B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
蒋莉
申请人 ：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江路18号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
屈蘅
优先权 ：
CN201810578027.7
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/538
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-04-29 ：
授权
2020-01-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20180605
申请日 : 20180605
2019-12-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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