接触插塞结构

授权

摘要

本实用新型提供了一种接触插塞结构。该接触插塞结构包括衬底以及设置于衬底上的介质层，接触插塞结构还包括：第一接触孔，位于介质层中并贯穿至衬底中，第一接触孔具有位于介质层中的第一通孔段以及位于衬底中的第一凹槽，第一通孔段与第一凹槽连通，且在平行于衬底表面的方向上，第一凹槽截面的最大面积大于第一通孔段截面的最大面积；阻挡层，至少部分覆盖于第一凹槽的侧壁上；导电垫层，位于第一凹槽的底面上；导电芯层，接触设置于导电垫层上，且阻挡层包裹导电芯层和导电芯层。由于上述阻挡层的存在，使得在形成导电垫层的工艺中，金属离子不会横向扩散至栅极和/或源漏极中，提高了器件的性能。

基本信息

专利标题：

接触插塞结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021410397.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-07-16

授权号：

CN213026108U

授权日：

2021-04-20

发明人：

刘安淇詹益旺

申请人：

福建省晋华集成电路有限公司

申请人地址：

福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人：

王晓玲

优先权：

CN202021410397.9

主分类号：

H01L23/48

IPC分类号：

H01L23/48 H01L21/768