具有与接触插塞侧表面接触的支撑图案的三维半导体装置
实质审查的生效
摘要

本公开提供一种具有与接触插塞侧表面接触的支撑图案的三维半导体装置。一种半导体装置包括:基板,其具有单元区域和通孔区域;设置在基板上的晶体管和逻辑互连件;下部绝缘层,其覆盖晶体管和逻辑互连件;下部导电层,其在单元区域中位于下部绝缘层上;支撑图案,其在通孔区域中设置在下部绝缘层上;下部通孔插塞,其具有与支撑图案接触的侧表面和与逻辑互连件接触的底表面;字线层叠,其在单元区域中设置在下部导电层上;介电层层叠,其在通孔区域中设置在支撑图案上;垂直沟道柱,其穿透字线层叠以连接到下部导电层;以及上部通孔插塞,其穿透介电层层叠以与下部通孔插塞垂直对准。

基本信息
专利标题 :
具有与接触插塞侧表面接触的支撑图案的三维半导体装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114388521A
申请号 :
CN202110546462.3
公开(公告)日 :
2022-04-22
申请日 :
2021-05-19
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
李杲炫金在泽郑蕙英
申请人 :
爱思开海力士有限公司
申请人地址 :
韩国京畿道
代理机构 :
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 :
刘久亮
优先权 :
CN202110546462.3
主分类号 :
H01L27/1157
IPC分类号 :
H01L27/1157  H01L27/11573  H01L27/11575  H01L27/11582  
法律状态
2022-05-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/1157
申请日 : 20210519
2022-04-22 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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