用于自对准互连件、插塞和过孔的织物式图案化
实质审查的生效
摘要

本发明的实施例包括形成织物式图案化硬掩模的方法。在实施例中,以交替的图案在互连层的顶表面上方形成第一硬掩模和第二硬掩模。然后可以在第一硬掩模和第二硬掩模上方形成牺牲交叉光栅。在实施例中,去除第一硬掩模未被牺牲交叉光栅覆盖的部分,以形成第一开口,并将第三硬掩模沉积至第一开口中。实施例然后可以包括蚀刻通过第二硬掩模未被牺牲交叉光栅覆盖的部分以形成第二开口。可以利用第四硬掩模填充第二开口。根据实施例第一硬掩模、第二硬掩模、第三硬掩模和第四硬掩模相对于彼此具有蚀刻选择性。在实施例中,然后可以去除牺牲交叉光栅。

基本信息
专利标题 :
用于自对准互连件、插塞和过孔的织物式图案化
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114446771A
申请号 :
CN202210111900.8
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2015-06-26
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
K·林R·L·布里斯托尔A·M·迈尔斯
申请人 :
英特尔公司
申请人地址 :
美国加利福尼亚
代理机构 :
永新专利商标代理有限公司
代理人 :
林金朝
优先权 :
CN202210111900.8
主分类号 :
H01L21/033
IPC分类号 :
H01L21/033  H01L21/3213  H01L21/768  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
H01L21/033
包括无机层的
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/033
申请日 : 20150626
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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