一种对准图案制作方法
授权
摘要

本发明涉及一种对准图案制作方法,包括:提供一衬底,在衬底的上表面上形成第一对准图案;在衬底的上表面形成阻挡层,阻挡层覆盖第一对准图案,并在阻挡层中形成第二对准图案;在阻挡层上形成抗蚀图案层,抗蚀图案层覆盖第二对准图案;在抗蚀图案层中形成多个间隔排布的定义图形边界区,以构成复合式硬掩膜层,其中第一对准图案延伸分布在相邻的多个定义图形边界区之间,第二对准图案延伸分布在相邻的多个定义图形边界区之间,使第一对准图案和第二对准图案皆为连续图案并以多个定义图形边界区分隔成多个图案区块。本发明方法简化了对准图案的制作难度,提高了各层对准图案叠合的套准精度和完整性,减少图形杂讯。

基本信息
专利标题 :
一种对准图案制作方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN109870876A
申请号 :
CN201711270272.3
公开(公告)日 :
2019-06-11
申请日 :
2017-12-05
授权号 :
CN109870876B
授权日 :
2022-05-10
发明人 :
不公告发明人
申请人 :
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 :
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 :
北京市铸成律师事务所
代理人 :
张臻贤
优先权 :
CN201711270272.3
主分类号 :
G03F1/42
IPC分类号 :
G03F1/42  G03F9/00  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1/38
具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F1/42
校准或对齐特征,例如掩膜基板上的校准标记
法律状态
2022-05-10 :
授权
2019-07-05 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 1/42
申请日 : 20171205
2019-06-11 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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