对准标记的制作方法及半导体器件的制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种对准标记的制作方法及半导体器件的制作方法，提供相键合的上层晶圆和下层晶圆，上层晶圆靠近下层晶圆的一面和/或下层晶圆靠近上层晶圆的一面形成有第一光刻标识图形；形成第二光刻标识图形于上层晶圆的远离下层晶圆的一面；采用一量测机台识别第一光刻标识图形，以获得第二光刻标识图形和第一光刻标识图形之间的第一对准偏差；形成第三光刻标识图形于上层晶圆的远离下层晶圆的一面；其中，以第二光刻标识图形进行光刻工艺的对准，且将第一对准偏差补偿至光刻工艺中。本发明的技术方案使得上层晶圆的厚度不受限制的同时，还能提高工艺精度。
基本信息
专利标题 ：
对准标记的制作方法及半导体器件的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114280902A
申请号 ：
CN202111484699.X
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈帮周云鹏郭万里
申请人 ：
武汉新芯集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
田婷
优先权 ：
CN202111484699.X
主分类号 ：
G03F9/00
IPC分类号 ：
G03F9/00 H01L23/544 H01L21/66
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F9/00
原版、蒙片、片框、照片、图纹表面的对准或定位，例如自动地
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 9/00
申请日 : 20211207
申请日 : 20211207
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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