光刻对准标记
授权
摘要

本实用新型公开了一种光刻对准标记,通过设置位于衬底上的前层结构,该前层结构中形成有沿第一方向相互平行且间隔排列的第一对准标记;位于前层结构上的覆盖结构,该覆盖结构中形成有多个沿第二方向相互平行的条形开口,其中,第一方向与第二方向不同,条形开口的延伸方向与第一对准标记的延伸方向呈夹角,且条形开口与第一对准标记部分重叠,以使得条形开口与第一对准标记的重叠部分作为光刻对准标记。通过设置与第一对准标记延伸方向呈夹角的多个、较小开口宽度的条形开口,可以有效避免后制程中在光刻对准区域上沉积材料层形成凹陷,避免化学机械研磨中对对准标记的损坏,以及滤除非检测方向上的信号干扰。

基本信息
专利标题 :
光刻对准标记
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021781859.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-08-24
授权号 :
CN212392242U
授权日 :
2021-01-22
发明人 :
王哲忠叶峻玮
申请人 :
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 :
福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
代理机构 :
北京聿宏知识产权代理有限公司
代理人 :
吴大建
优先权 :
CN202021781859.8
主分类号 :
H01L23/544
IPC分类号 :
H01L23/544  H01L21/027  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/544
加到半导体器件上的标志,例如注册商标、测试图案
法律状态
2021-01-22 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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