光刻对准方法
实质审查的生效
摘要

本发明提供一种光刻对准方法,先从多个对准标记中选取预设数量的对准标记作为目标组,然后根据所述目标组中的各所述对准标记的对准信号,判断所述目标组中的各所述对准标记的质量是否合格,然后将质量不合格的对准标记移除,以避免因对准标记的质量问题影响粗对准偏差模型中的参数,提高粗对准偏差模型的精度。以及通过确定目标组中各所述对准标记的残差,并将残差大于预设阈值的对准标记从目标组移除,由此保证对准标记的残差小于预设阈值,确保了粗对准偏差模型的精确性,避免出现无法进行光刻对准的问题。

基本信息
专利标题 :
光刻对准方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114326337A
申请号 :
CN202111634615.6
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2021-12-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
曾辉陈超
申请人 :
广州粤芯半导体技术有限公司
申请人地址 :
广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
代理机构 :
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 :
冯启正
优先权 :
CN202111634615.6
主分类号 :
G03F9/00
IPC分类号 :
G03F9/00  G03F7/20  H01L21/68  H01L23/544  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F9/00
原版、蒙片、片框、照片、图纹表面的对准或定位,例如自动地
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 9/00
申请日 : 20211224
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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