用背面曝光和非镜面反射层光刻形成自对准掩模的方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种光刻制造掩模方法包括下列步骤：在透明衬底主表面上形成岛状结构；在该表面和整个岛状结构上淀积至少一透明材料层；在整个至少一透明层上淀积光致抗蚀材料层；将该表面对面的衬底表面背面在紫外光中曝光，将至少一部分紫外光反射回光致抗蚀层中；在紫外曝光之前在光致抗蚀层上淀积非镜面层，然后除去经曝光的光致抗蚀部分，以形成与岛状结构对准且其各边比岛状结构窄一预选重叠距离的掩模。
基本信息
专利标题 ：
用背面曝光和非镜面反射层光刻形成自对准掩模的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1056187A
申请号 ：
CN91102566.9
公开（公告）日 ：
1991-11-13
申请日 ：
1991-04-17
授权号 ：
CN1032233C
授权日 ：
1996-07-03
发明人 ：
乔治·爱德华·波辛西格弗里德·阿夫特格特
申请人 ：
通用电气公司
申请人地址 ：
美国纽约州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN91102566.9
主分类号 ：
H01L21/027
IPC分类号 ：
H01L21/027 H01L21/308 H01L21/31 H01L21/336 H01L21/28
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2007-06-20 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1996-07-03 ：
授权
1993-07-28 ：
实质审查请求的生效
1991-11-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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