掩模缺陷检测装置、掩模缺陷检测系统以及光刻机系统
公开
摘要

本发明涉及一种掩模缺陷检测装置、掩模缺陷检测系统以及光刻机系统,其中掩模缺陷检测装置包括:壳体,壳体内部具有真空腔;掩模,设于真空腔内;平面反射镜,设于真空腔内且位于掩模的一侧的,平面反射镜用于反射极紫外光束并使其垂直照射在掩模上;退相干反射组件,设于真空腔内,退相干反射组件用于将射入真空腔的极紫外光束退相干后反射至平面反射镜;成像装置,成像装置具有成像平面;反射光采集装置,用于采集由掩模上的缺陷反射出的极紫外光束并输出至成像平面,在成像平面生成亮点。本发明提出的掩模缺陷检测装置可以采用以新型粒子加速器EUV光源生成的具有较高的输出功率的极紫外光,提高了掩模缺陷检测的产率。

基本信息
专利标题 :
掩模缺陷检测装置、掩模缺陷检测系统以及光刻机系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114563348A
申请号 :
CN202210096352.6
公开(公告)日 :
2022-05-31
申请日 :
2022-01-26
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
沙鹏飞吴晓斌王魁波马翔宇尹皓玉方旭晨谢婉露李慧韩晓泉罗艳马赫谭芳蕊
申请人 :
中国科学院微电子研究所
申请人地址 :
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 :
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 :
郎志涛
优先权 :
CN202210096352.6
主分类号 :
G01N21/01
IPC分类号 :
G01N21/01  G01N21/958  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段,即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/01
便于进行光学测试的装置或仪器
法律状态
2022-05-31 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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