光掩模版缺陷处理设备、曝光机以及光掩模版缺陷处理方法
公开
摘要

本申请属于半导体制造技术领域,具体涉及一种光掩模版缺陷处理设备、曝光机以及光掩模版缺陷处理方法,光掩模版缺陷处理设备包括装载装置、检测装置、清除装置和控制装置,装载装置设置成装载光掩模版,检测装置设置成对光掩模版进行检测,清除装置设置成对光掩模版上的缺陷进行清除,装载装置、检测装置和清除装置分别与控制装置电连接。根据发明实施例的光掩模版缺陷处理设备,在曝光机具有曝光的功能上增加缺陷处理的功能,缺陷处理过程在曝光机的内部进行,无需将光掩模版取出,避免频繁的取放造成的损坏和二次污染。在曝光前通过检测装置对光掩模版进行检测,检测完成后通过清除装置对缺陷进行处理,降低因缺陷超过允许范围导致的生产损失。

基本信息
专利标题 :
光掩模版缺陷处理设备、曝光机以及光掩模版缺陷处理方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114563924A
申请号 :
CN202011359397.5
公开(公告)日 :
2022-05-31
申请日 :
2020-11-27
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
崔栽荣丁明正贺晓彬刘强王桂磊
申请人 :
中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请人地址 :
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 :
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 :
李晶
优先权 :
CN202011359397.5
主分类号 :
G03F7/20
IPC分类号 :
G03F7/20  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F7/00
图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-05-31 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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