掩模版缺陷无痕去除方法、装置、设备及其存储介质
授权
摘要

本申请公开了一种掩模版缺陷无痕去除方法、装置、设备及其存储介质,该方法包括:对刻蚀后的掩模版进行缺陷检测,得到掩模版上的若干个缺陷的位置信息和尺寸信息;根据各缺陷的尺寸信息确定第一脉冲频率;根据第一脉冲频率选用去除需要的激光器;通过去除需要的激光器对缺陷表面感光胶进行定点去除;通过刻蚀液对已去除感光胶的缺陷进行定点刻蚀。本申请提供的上述技术方案,不会对感光胶下的缺陷金属层和玻璃基板进行作用,因为材质不同于金属层,感光胶在受激光作用后蒸发并不会继续沉积,最后通过刻蚀液对已去除感光胶的缺陷进行定点刻蚀,不存在影响基板光透率和相位差的印痕。

基本信息
专利标题 :
掩模版缺陷无痕去除方法、装置、设备及其存储介质
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113671790A
申请号 :
CN202110930984.3
公开(公告)日 :
2021-11-19
申请日 :
2021-08-13
授权号 :
CN113671790B
授权日 :
2022-06-14
发明人 :
叶小龙黄执祥王栋
申请人 :
深圳市龙图光电有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市宝安区沙井街道新玉路北侧圣佐治科技工业园4#厂房一楼
代理机构 :
深圳壹舟知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
欧志明
优先权 :
CN202110930984.3
主分类号 :
G03F1/72
IPC分类号 :
G03F1/72  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1/68
未包含在G03F1/20至G03F1/50组中的制备工艺
G03F1/72
掩膜缺陷的修复或校正
法律状态
2022-06-14 :
授权
2021-12-07 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 1/72
申请日 : 20210813
2021-11-19 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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