掩模版
授权
摘要
掩模版。涉及大直径半导体功率器件芯片加工领域，尤其涉及一种改善GPP产品湿法腐蚀均匀性的掩模版。包括石英基板，所述石英基板上设有铬层，所述铬层上设有对应晶圆尺寸的圆形区；所述圆形区包括内外设置的圆形加工区和环形加工区，所述圆形加工区内的若干蚀刻线一的宽度相同，所述环形加工区内的若干蚀刻线二的宽度相同，所述蚀刻线二的宽度小于蚀刻线一的宽度。所述环形加工区包括至少两个，至少两个环形加工区内的蚀刻线宽度从内到外依次减小。本实用新型既能有效避免湿法腐蚀一致性差的问题，提升产品可靠性，又能融合于大尺寸晶圆制造工艺，提升单次作业产出率。
基本信息
专利标题 ：
掩模版
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123258571.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-22
授权号 ：
CN216450605U
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
崔丹丹裘立强王毅
申请人 ：
扬州杰利半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省扬州市邗江区维扬经济开发区创业园中路26号
代理机构 ：
扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
葛军
优先权 ：
CN202123258571.X
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
