多区段式基座的温度控制
实质审查的生效
摘要
一种处理半导体衬底的系统包含：衬底支撑件组件，其被配置成支撑所述半导体衬底。所述衬底支撑件组件包含：M个电阻加热器，其被分别设置于所述衬底支撑件组件的层中的M个区段中，其中M为大于1的整数。所述层邻近于所述半导体衬底。所述衬底支撑件组件包含：N个温度传感器，其被设置于所述层中的N个位置处，其中N为大于1且小于或等于M的整数。所述系统还包括：控制器，其被配置成基于由所述N个温度传感器中的一者所感测的温度和所述M个区段中的一或多者的平均温度而控制所述M个电阻加热器中的一或多者。
基本信息
专利标题 ：
多区段式基座的温度控制
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114269969A
申请号 ：
CN202080058573.3
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2020-06-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
拉梅什·钱德拉塞卡拉迈克尔·菲利普·罗伯茨亚伦·宾汉阿施施·索拉卜阿德里安·拉沃伊普尔凯特·阿加瓦尔拉维·库马尔
申请人 ：
朗姆研究公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海胜康律师事务所
代理人 ：
李献忠
优先权 ：
CN202080058573.3
主分类号 ：
C23C16/46
IPC分类号 ：
C23C16/46 C23C16/458 C23C16/52 H01L21/67
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/46
以加热基体的方法为特征的
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/46
申请日 : 20200622
申请日 : 20200622
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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